Авторизация
Наша группа Вконтакте
Наши партнеры
КРЫМ. СТРОЙИНДУСТРИЯ. ЭНЕРГОСБЕРЕЖЕНИЕ ВЕСНА — 2016
20 янв 03:26Библиотека

Кремний - материал наноэлектроники

"Кремний - материал наноэлектроники", Н. Герасименко, Ю. Пархоменко. Техносфера, Москва, 2007 г.
Монография посвящена рассмотрению проблем и возможностей использования кремния для создания приборов и устройств наноэлектроники и нанофотоники. Даны представления о квантоворазмерных эффектах, возможности их проявления в кремниевых элементах и структурах, а также физических ограничениях.
Рассмотрены наиболее перспективные технологические возможности формирования наноразмерных кремниевых структур.

Вы можете скачать книгу "Кремний - материал наноэлектроники", Н. Герасименко, Ю. Пархоменко по этой ссылке.

Содержание книги:

Предисловие ... 11
Введение ... 13

Глава 1. Физические принципы наноэлектроники ... 22
1.1. Параметры квантовых точек ... 22
1.1.1. Минимальный и максимальный размеры ... 22
1.1.2. Структурное совершенство, плотность и однородность ... 23
1.2. Особенности электронного спектра в структурах с квантовыми точками ... 23
1.2.1. Зонная структура в кристаллах с квантовыми точками ... 23
1.2.2 Энергетический спектр дырок в Ge/Si - квантовых точках ... 29
1.2.3. Энергетическая структура экситонов и экситонных комплексов ... 31
1.2.4. Компьютерное моделирование энергетического спектра в квантовых точках [42] ... 32
Список литературы к главе 1 ... 44


Глава 2. Кремниевая одноэлектроника ... 46
2.1. Базовая теория кулоновской блокады ... 46
2.1.1. Кулоновская лестница ... 51
2.1.2. Сотуннелирование ... 53
2.1.3. Квантово-размерные эффекты ... 53
2.1.4. Влияние внешних переменных полей на квантовые кулоновские точки ... 54
2.1.5. Эффекты, связанные с кулоновской блокадой ... 55
2.2. Реализация одноэлектронных приборов ... 55
2.2.1. Кремниевые одноэлектронные приборы ... 56
2.3. Квантовые точки Ge в МПД и фототранзисторных структурах [28] ... 62
Список литературы к главе 2 ... 68


Глава 3. Оптические и фотоэлектрические свойства квантово-размерных структур Si-Ge ... 70
3.1. Фотолюминесценция на структурах Si-Ge, полученных с помощью молекулярно-лучевой эпитаксии ... 71
3.1.1. Si-Ge-структуры с субмонослойными включениями ... 79
3.1.2. Si-Ge-структуры с квантовыми точками ... 82
3.2. Радиационная стойкость кристаллов с квантовыми точками ... 87
Список литературы к главе 3 ... 88


Глава 4. Методы получения самоорганизованных Si-Ge-структур ... 91
4.1. Фундаментальные предпосылки ... 91
4.2. Рост и особенности упорядочения ансамблей нанокластеров Ge ... 98
4.2.1. Морфологические перестройки ... 98
4.2.2. Эффекты упорядочения ... 99
4.2.3. Размеры и плотность островков: возможности управления ... 104
4.3. Особенности создания гетероструктур Si-Ge с помощью молекулярно-лучевой эпитаксии ... 105
4.4. Искуственные подложки ... 108
4.4.1. Буферные слои с изменяющимся параметром решётки ... 109
4.4.2. Мезаподложки ... 111
4.4.3. Дислокационные фильтры ... 112
4.4.4. Факторы, влияющие на процесс упорядочения ... 113
4.4.5. S-Ge-наноструктуры с квантовыми точками ... 113
4.4.6. Эффектыупорядочения при формировании наноструктур на основе SiGe/Si ... 115
4.5. Свойства самоорганизованных Si-Ge-наноструктур, полученных методом ионной имплантации [128-130] ... 127
4.6. Получение наноразмерных Si-Ge-структур методом термического испарения ... 140
Список литературы к главе 4 ... .142


Глава 5. Синтез проводящих и полупрводниковых соединений в кремнии ... 148
5.1. Наноструктурированные слои дисилицида кобальта на поверхности кремния, образующиеся при внедрении ионов Co+ в подложку кремния [1] ... 148
5.1.1. Силициды, их свойства, и применение [2] ... 148
5.1.2. Ионный синтез ... 152
5.1.3. Самоорганизация приповерхностного слоя дисилицида кобальта [8,10,11] ... 156
5.1.4. Фрактальный анализ поверхности дисилицида кобальта, полученного ионным синтезом ... 159
5.2. Ионный синтез соединений A(III) B(V) в Si-матрице [1] ... 169
5.3. Молекулярно-лучевая эпитаксия гетероструктур с нанокластерами InAs в матрице Si [46] ... 177
Список литературы к главе 5 ... .182


Глава 6. Формирование наноразмерных структур при ионном распылении поверхности полупроводников ... 185
6.1. Экспериментальные данные ... 185
6.2. Теоретическая модель ... 200
6.2.1. Модели, основанные на распределении энергии по Гауссу ... 200
6.2.2. Моделирование распыления методом Монте-Карло ... 204
6.2.3. Уточнение распределения поглощаемой энергии ... 204
6.2.4. Морфология поверхности ... 207
6.3. Распыление вращающихся подложек ... 209
6.3.1 Эксперимент ... 210
6.3.2. Форма и упорядочение квантовых точек для InP и GaSb ... 211
6.3.3. Непрерывная модель формирования точек ... 216
6.4. Исследование влияния параметров ионной пушки ... 220
Список литературы к главе 6 ... .223


Глава 7. Нанокристаллы кремния, получаемые разными способами ... 227
7.1. Получение нанокристаллических плёнок кремния методом CVD ... 227
7.2. Нанокристаллы кремния, полученные с помощью электрохимического процесса ... 228
7.3. Образование собственных нанокристаллов в монокристалическим кремнии [22] ... 230
7.4. Нанокристаллы кремния в матрице аморфного кремния ... 236
7.5. Получение нанокристаллов кремния через образование пористого кремния ... 238
7.6. Формирование нанопроволок кремни [72] ... 246
7.7. Углеродные нанотрубки ... 248
7.7.1. Электрофизические свойства нанотрубок ... 249
7.7.2. Приборы на нанотрубках ... 254
7.8. Кремниевые нанотрубки [93] ... 262
7.9. Кремниевые свёрнутые структуры ... 268
7.9.1. Кремниевые микро- и нанотрубки ... 268
7.9.2. Монокристаллические нановолокна и спирали ... 270
7.9.3. Сборка сложных структур ... 272
7.9.4. Альтернативный метод получения кремниевых самосвёрнутых структур ... 273
Список литературы к главе 7 ... 274


Глава 8. Квантовые точки из монокристалического Si, сформированные ионной имплантацией в плёнках SiO2 ... 279
8.1. Нанокристаллы Si и Ge в SiO2, полученные без применения ионной имплантации ... 279
8.2. Нанокристаллы Si и Ge в SiO2, полученные методом ионной имплантации ... 285
8.3. Влияние легирующих примесей на люминесценцию, связанную с нанокристаллами Si в матрице SiO2 ... 298
8.4. Оптические и люминесцентные свойства SiO2 ... 300
8.5. Образование нанокристаллов кремния между плёнками SiO2 ... 305
Список литературы к главе 8 ... 306


Глава 9. Перспективы кремниевой наноэлектроники ... 309
9.1. Использование синхротронного излучения для анализа наноразмерных структур ... 309
9.2. Методы локальной модификации поверхности при помощи сканирующей зондовой микроскопии ... 314
9.3. Основные направления исследования самоорганизованных структур ... 320
9.3.1. Сравнение особенностей самоорганизации в полупроводниках и металлических сплавах ... 322
9.3.2. Автомодуляция по составу при эпитаксии соединений A(III)B(V) [85] ... 324
9.3.3. Самоорганизация и нестабильность дефектной системы в полупроводниках, находящихся под облучением [81, 82] ... 331
9.3.4. Формирование сверхрешёток в распределении плотности дефектов при облучении бинарных соединений ... 335
9.3.5. Самоорганизация, обусловленная накоплением антиструктурных радиационных дефектов ... 340
Список литературы к главе 9 ... 342

Заключение ... 347

Список принятых сокращений ... 350


Назад в библиотеку альтернативной литературы


.
Рейтинг:
5
Добавить комментарий
Ваше Имя:
Ваш E-Mail:
  • bowtiesmilelaughingblushsmileyrelaxedsmirk
    heart_eyeskissing_heartkissing_closed_eyesflushedrelievedsatisfiedgrin
    winkstuck_out_tongue_winking_eyestuck_out_tongue_closed_eyesgrinningkissingstuck_out_tonguesleeping
    worriedfrowninganguishedopen_mouthgrimacingconfusedhushed
    expressionlessunamusedsweat_smilesweatdisappointed_relievedwearypensive
    disappointedconfoundedfearfulcold_sweatperseverecrysob
    joyastonishedscreamtired_faceangryragetriumph
    sleepyyummasksunglassesdizzy_faceimpsmiling_imp
    neutral_faceno_mouthinnocent
Вопрос:
От чего дают энергию солнечные батареи?
Ответ:*
Важно ваше мнение
Какая на Ваш взгляд самая перспективная технология в энергетике?